特讯热点！三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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英伟达掌舵人黄仁勋财富激增，跻身全球富豪榜第13位

北京讯 - 随着英伟达市值飙升至3万亿美元以上，公司CEO黄仁勋的个人财富也水涨船高，在本周五跃居全球富豪榜第13位，净资产达到1061亿美元。这是这位台湾裔美国企业家迄今为止取得的最高排名。

黄仁勋的财富主要来自于他持有的英伟达3.5%股份。过去一年里，英伟达股价飙升了近30%，得益于人工智能芯片需求的强劲增长。该公司目前是全球市值第二高的公司，仅次于苹果。

黄仁勋出生于台湾，1984年移民美国。他于1993年与他人共同创办了英伟达，当时是一家图形芯片初创公司。在黄仁勋的带领下，英伟达逐渐发展成为全球领先的图形和人工智能芯片制造商。

黄仁勋的成功故事表明，在科技创新浪潮中，企业家可以通过敏锐的洞察力和果敢的行动，创造巨大的财富。他的财富增长也反映了人工智能产业的蓬勃发展，以及英伟达在这一领域的领先地位。

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